本书是作者长期从事直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化研究 的总结。书中在概述硅单晶发展前景、主要生长设备及关键工艺的基础 上，介绍直拉硅单晶生长过程数值模拟方法、工艺流程与参数设置、热 系统设计与制造等方面的内容；从介观层面阐述多物理场耦合作用对晶 体生长的影响，并给出关键工艺参数选取方法；提出一系列结合变量检 测、智能优化及先进控制技术的硅单晶工艺研究理论和工程实现方法。 本书在理论和实验两方面均进行详尽阐述并给出部分工程实验结果，具 有问题驱动、理论牵引、内容具体、结合实际、指导性强等特点。 本书对从事晶体生长领域理论研究、技术开发和产业应用工作的高 校教师、科研人员以及研究生具有参考价值。

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